Görsel mevcut değil
2SD1221-Y(Q)
2SD1221-Y(Q) Hakkında
2SD1221-Y(Q), Toshiba tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür. 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 1W maksimum güç yönetimi kapasitesine sahiptir. 100 minimum DC akım kazancı ve 3MHz transition frekansı ile düşük frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde uygulanabilir. Vce doyum voltajı maksimum 1V olup, 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Endüstriyel kontrol, motor sürücü devreler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
PW-MOLD
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V