Görsel mevcut değil
2SD12110R
- Üretici
- Panasonic
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 120V 0.5A TO-92L
2SD12110R Hakkında
2SD12110R, Panasonic tarafından üretilen NPN tipinde bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-92L through-hole paketinde sunulmaktadır. 120V maksimum collector-emitter gerilimi ve 500mA maksimum collector akımı ile çalışabilen bu transistör, 1W güç harcaması kapasitesine sahiptir. 200MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 130 değerinde olup, saturation modunda 1V Vce ile çalışır. Genel amaçlı anahtarlama, sinyal amplifikasyonu ve düşük güçlü kontrol devrelerinde uygulanır. Çalışma sıcaklığı 150°C'ye kadar çıkabilir. Not: Bu bileşen üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumda olup, yeni tasarımlarda modern alternatifler değerlendirilmelidir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
130 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-92L-A1
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 30mA, 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V