Görsel mevcut değil
2SD1207S-AE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BIPOLAR TRANSISTOR
2SD1207S-AE Hakkında
2SD1207S-AE, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 long body paketinde sunulan bu komponent, 2A maksimum collector akımı, 100 @ 100mA/2V DC current gain ve 150MHz transition frequency özellikleriyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 50V BVCEO ve 1W maksimum güç derecelendirmesi ile doğrusal amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal işleme devreleri tasarımında yer alabilir. Through hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB lehimleme yöntemleriyle entegre edilebilir. 150°C işletme sıcaklığı desteği ile geniş sıcaklık aralığında çalışmaya uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
3-MP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V