Görsel mevcut değil
2SD11990S
- Üretici
- Panasonic
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 40V 0.05A M TYPE
2SD11990S Hakkında
2SD11990S, Panasonic tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 40V collector-emitter gerilimi ve 50mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 600 minimum DC current gain (hFE) ile güvenilir anahtarlama ve amplifikasyon sağlar. 120MHz transition frequency sayesinde orta-yüksek frekanslı devreler için kullanılabilir. 400mW maksimum güç tüketimi ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile endüstriyel ortamlarda çalışabilir. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur. Ses amplifikatörleri, RF devreler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
600 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-SIP
Part Status
Obsolete
Power - Max
400 mW
Supplier Device Package
M-A1
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V