Görsel mevcut değil
2SCRC41CHZGT116R
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- HIGH-VOLTAGE AMPLIFIER TRANSISTO
2SCRC41CHZGT116R Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen 2SCRC41CHZGT116R, yüksek voltaj amplifikasyon uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar jonksiyon transistörüdür. 120V collector-emitter breakdown voltajı ve 200mW maximum güç derecelendirmesi ile düşük sinyal seviyesi amplifikasyonu, switching devreleri ve kontrol uygulamalarında kullanılır. 140MHz geçiş frekansı ve 180'den başlayan DC akım kazancı (hFE), hassas amplifikasyon gereken endüstriyel ve tüketici uygulamalarında yer bulur. Surface mount SOT-23-3 paket tipinde sunulan bileşen, sıcaklık direnci ve stabil elektriksel karakteristikleriyle 150°C'ye kadar çalışabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition
140MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
SST3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V