Görsel mevcut değil
2SCR587D3TL1
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- NPN, TO-252 (DPAK), 120V 3A, POW
2SCR587D3TL1 Hakkında
2SCR587D3TL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 120V yüksek gerilim ve 3A kollektör akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 250MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştiren transistör, 10W maksimum güç dağıtım kapasitesine ve 120mV saturasyon gerilimi karakteristiğine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 100mA kollektör akımında 120 değerine ulaşır. Yüksek sıcaklık ortamlarında (150°C'ye kadar) çalışabilen bu transistör, switch modlu güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve ses amplifikatörleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
10 W
Supplier Device Package
TO-252
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
120mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V