Görsel mevcut değil
2SCR583D3TL1
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- NPN, TO-252 (DPAK), 50V 7A, POWE
2SCR583D3TL1 Hakkında
2SCR583D3TL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-252 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 7A maksimum collector akımı ile orta güçlü uygulamalar için tasarlanmıştır. 10W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 280MHz transition frekansıyla hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlemleri gerçekleştirebilir. 180 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 350mV doyum voltajı ile endüstriyel kontrol devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve darbe anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında çeşitli ortamlara uyum sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
7 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition
280MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
10 W
Supplier Device Package
TO-252
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
350mV @ 150mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V