Görsel mevcut değil
2SCR553P5T100
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN 50V 2A MEDIUM POWER TRANSIST
2SCR553P5T100 Hakkında
2SCR553P5T100, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 50V maksimum Vce breakdown voltajı ve 2A maksimum kollektor akımı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 360MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 500mW maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile motor sürücüler, relay kontrolü, darbe amplifikatörleri ve RF uygulamalarında uygulanabilir. Surface mount TO-243AA paketinde sunulan bileşen, 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir ve 180 minimum DC current gain (hFE) karakteristiğine sahiptir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition
360MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
MPT3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
350mV @ 35mA, 700mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V