Görsel mevcut değil
2SCR552PHZGT100
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN MIDDLE POWER TRANSISTOR (30V
2SCR552PHZGT100 Hakkında
2SCR552PHZGT100, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi middle power bipolar junction transistördür. Maksimum 30V collector-emitter gerilimi ve 3A collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun olan bu transistör, 500mW güç kapasitesi ve 280MHz transition frekansı ile ses frekansı ve düşük frekans uygulamalarında tercih edilir. 200 minimum DC akım kazancı (hFE) değeri, güvenilir anahtarlama ve amplifikasyon özellikleri sağlar. TO-243AA (SOT-89) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve ses amplifikatörlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
280MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
SOT-89
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V