Görsel mevcut değil
2SCR533P5T100
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN 50V 3A MEDIUM POWER TRANSIST
2SCR533P5T100 Hakkında
2SCR533P5T100, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi orta güç bipolar transistörüdür. 50V collector-emitter gerilimi ve 3A collector akımı ile tasarlanan bu bileşen, yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılmaya uygundur. 320MHz transition frequency ve 180 minimum DC akım kazancı (hFE) özelliğine sahiptir. Surface mount TO-243AA paketinde sunulan transistör, anahtarlama devreleri, RF amplifikatörleri, ses frekansı (AF) amplifikatörleri ve güç kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum 500mW güç dissipasyonu kapasitesi ile enerji verimliliği sağlayan bu bileşen, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığına sahiptir. 50mA base akımında 1A collector akımı koşullarında 350mV saturation gerilimi gösterir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 50mA, 3V
Frequency - Transition
320MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
MPT3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
350mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V