Görsel mevcut değil
2SCR513PHZGT100
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN, SOT-89, 50V 1A, MIDDLE POWE
2SCR513PHZGT100 Hakkında
2SCR513PHZGT100, ROHM Semiconductor tarafından üretilen orta güç NPN bipolar junction transistörüdür. SOT-89 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 50V collector-emitter gerilimi ve 1A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. 500mW güç dissipasyonuna sahip olup, 360MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. DC current gain (hFE) 50mA ve 2V koşullarında minimum 180 değerine sahiptir. İleri açılı ve röle sürücüleri, ses frekansı amplifikatörleri, genel amaçlı anahtarlama devrelerinde ve düşük frekanslı sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition
360MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
SOT-89
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
350mV @ 25mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V