Görsel mevcut değil
2SCR513P5T100
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN 50V 1A MEDIUM POWER TRANSIST
2SCR513P5T100 Hakkında
2SCR513P5T100, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi medium power bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1A maksimum collector akımı ile çeşitli kontrol ve sürücü devrelerinde çalışabilir. 180 (minimum) DC akım kazancı, 360MHz transition frekansı ve 350mV saturation gerilimi ile hızlı komutasyon ve düşük güç kaybı sağlar. 500mW maksimum güç tüketimi ve TO-243AA yüzeye monte paketleme, kompakt tasarımlı endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanıma uygundur. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenli operasyon gerçekleştirir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition
360MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
MPT3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
350mV @ 25mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V