Görsel mevcut değil
2SCR512PHZGT100
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN 2A 30V MEDIUM POWER TRANSIST
2SCR512PHZGT100 Hakkında
2SCR512PHZGT100, ROHM Semiconductor tarafından üretilen medium power NPN bipolar transistördür. 30V collector-emitter voltaj kapasitesi ve 2A maksimum collector akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 200 minimum DC current gain (hFE) değeri ve 320MHz transition frequency ile orta frekans devrelerinde çalışabilir. 500mW maksimum güç kapasitesi ve 150°C maksimum operating temperature ile endüstriyel ve tüketim elektroniği uygulamalarında, power management, motor kontrolü ve sinyal amplifikasyonu devrelerinde tercih edilir. SOT-89 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
320MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
SOT-89
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 35mA, 700mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V