Görsel mevcut değil
2SCR502U3HZGT106
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 2SCR502U3HZG IS THE GENERAL PURP
2SCR502U3HZGT106 Hakkında
2SCR502U3HZGT106, ROHM Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı NPN bipolar junction transistördür. SC-70/SOT-323 SMD paketinde sunulan bu transistör, 500mA maksimum collector akımı ve 30V breakdown voltajı ile düşük güçlü anahtarlama ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 360MHz transition frequency ile RF ve hızlı anahtarlama devrelerinde, 200 mW maksimum güç ile sınırlı enerji bütçesi olan tasarımlarda tercih edilebilir. 150°C'ye kadar çalışabilen bileşen, tüketici elektroniği, IoT cihazları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yer alan kompakt PCB'lere monte edilmeye uyygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
360MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-70, SOT-323
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
UMT3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V