Görsel mevcut değil
2SCR502EBTL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F
- Aile / Seri
- 2SCR502E
2SCR502EBTL Hakkında
2SCR502EBTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük güç ve yüksek frekans uygulamaları için tasarlanmıştır. 30V maksimum kolektor-emiter gerilimi ve 500mA maksimum kolektor akımı ile, 150mW güç tüketiminde çalışabilmektedir. 360MHz geçiş frekansı ve 200 (minimum) DC akım kazancı ile, anahtarlama ve sinyal işleme devrelerinde kullanılabilir. SC-89 (SOT-490) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, özellikle taşınabilir cihazlar, tüketici elektroniği ve endüstriyel kontrol sistemlerinde geniş kullanım alanı bulmuştur. 150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanıklı tasarımı, güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
360MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-89, SOT-490
Part Status
Active
Power - Max
150 mW
Supplier Device Package
EMT3F (SOT-416FL)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V
İlgili Ürünler
