Görsel mevcut değil
2SCR502EBHZGTL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 2SCR502EBHZG IS A BIPOLAR TRANSI
2SCR502EBHZGTL Hakkında
2SCR502EBHZGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek hızlı NPN bipolar transistördür. SC-89 (SOT-490) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 500mA maksimum kolektör akımı ve 30V maksimum Vce(breakdown) gerilimi ile çalışmaktadır. 360MHz transition frequency özelliğine sahip olup, 200 @ 100mA/2V DC current gain (hFE) değerine ulaşmaktadır. 150°C maksimum junction sıcaklığında 150mW güç tüketebilir. Saturation voltajı 300mV @ 10mA/200mA olarak belirlenmiştir. Düşük güç tüketimi ve kompakt boyutuyla, rf uygulamaları, ses frekansı amplifikasyon devreleri, anahtarlama ve kontrol uygulamalarında kullanılmaya uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
360MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-89, SOT-490
Part Status
Active
Power - Max
150 mW
Supplier Device Package
EMT3F (SOT-416FL)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V