Görsel mevcut değil
2SCR375P5T100R
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN 120V 1.5A MEDIUM POWER TRANS
2SCR375P5T100R Hakkında
2SCR375P5T100R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipinde medium power bipolar junction transistördür. 120V maksimum Vce breakdown voltajı ve 1.5A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun olan bu transistör, 500mW maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir. 200MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. TO-243AA Surface Mount paketi ile kompakt PCB tasarımlarında yer alabilir. 180 (minimum) DC current gain değeri, geniş sıcaklık aralığında (150°C maksimum junction sıcaklığı) stabil çalışma sağlar. Güç kaynakları, motor sürücü devreleri, RF amplifikatörler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1.5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
MPT3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 80mA, 800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V