Görsel mevcut değil
2SCR346PT100Q
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN 100MA 400V MIDDLE POWER TRAN
2SCR346PT100Q Hakkında
2SCR346PT100Q, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 100 mA kollektör akımı ve 400 V breakdown voltajı ile çalışan bu transistör, 500 mW maksimum güç seviyesinde işletilmektedir. Collector-emitter saturation voltajı 300 mV (@2mA, 20mA) ve DC current gain değeri 82 (@10mA, 10V) olarak belirtilmiştir. Surface mount TO-243AA paketinde sunulan komponent, endüstriyel kontrol sistemleri, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve genel sinyal işleme devrelerinde kullanılmaya elverişlidir. 150°C maksimum işletme sıcaklığında çalışabilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
82 @ 10mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
MPT3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 2mA, 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V