Görsel mevcut değil
2SCR293PHZGT100
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN, SOT-89, 30V 1A, MIDDLE POWE
2SCR293PHZGT100 Hakkında
2SCR293PHZGT100, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistor (BJT) olup, orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. SOT-89 yüzey montaj paketi ile sunulan bu transistör, maksimum 1A kolektör akımı ve 30V breakdown voltajı ile çalışabilir. 270'lik minimum akım kazancı (hFE) ve 350mV satürasyon voltajı ile sayısal lojik devreleri, sürücü uygulamaları ve anahtarlama işlemlerine uygundur. 320MHz transition frequency ile görece hızlı anahtarlamalar gerçekleştirebilir. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen bileşen, 2W maksimum güç dissipasyonu kapasitesiyle şekillendirici devrelerde, amplifikasyon aşamalarında ve kontrolü gerekli güç devrelerinde yer alabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
320MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
SOT-89
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
350mV @ 25mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V