Görsel mevcut değil
2SC6142(Q)
2SC6142(Q) Hakkında
2SC6142(Q), Toshiba tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 IPak paketinde sunulan bu transistör, maksimum 1.5A kollektör akımı ve 375V collector-emitter breakdown voltajı ile orta-güç uygulamalarında kullanılır. 100mA akımda 100 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir. 900mV saturation voltajı ile düşük kayıp anahtarlama özellikleri gösterir. 1.1W maksimum güç yönetimi kapasitesi ve 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışma aralığı ile kontrol devreleri, aydınlatma sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Through-hole montaj tipi, hassas uygulamalarda ve endüstriyel elektronik sistemlerinde kullanıma uygundur.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1.5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Part Status
Active
Power - Max
1.1 W
Supplier Device Package
PW-MOLD2
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
900mV @ 100mA, 800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
375 V