Görsel mevcut değil
2SC6135,LF
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR VCEO50V IC1A HFE4
2SC6135,LF Hakkında
2SC6135,LF, Toshiba tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount paket (UFM) ile sunulan bu bileşen, 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1A maksimum collector akımı kapasitesiyle düşük sinyal güçlendirme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 400 minimum DC current gain (hFE) değeri ile kontrollü amplifikasyon sağlar. 500mW maksimum güç dissipasyonu ve 150°C işletme sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında, özellikle genel amaçlı amplifier ve switch devrelerinde tercih edilir. Düşük 120mV saturation voltajı hızlı anahtarlama performansı sunar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
400 @ 100mA, 2V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, Flat Leads
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
UFM
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
120mV @ 6mA, 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V