Görsel mevcut değil
2SC6099-E
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- IPAK
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 2A TP
2SC6099-E Hakkında
2SC6099-E, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 100V maksimum Vce derecelendirmesi ve 2A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 300 MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 800mW maksimum güç tüketimi ve 150°C maksimum işletme sıcaklığı ile endüstriyel ve tüketici elektroniğinde ses amplifikasyonu, güç anahtarlaması ve RF devrelerinde yer bulur. 300 minimum DC current gain (hFE) ile kararlı amplifikasyon özellikleri sağlar. Düşük 165mV Vce(sat) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. Bileşen obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
165mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V