Görsel mevcut değil
2SC6076(TE16L1,NV)
2SC6076(TE16L1,NV) Hakkında
2SC6076, Toshiba tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. Maksimum 80V collector-emitter gerilimi ve 3A collector akımı kapasitesi ile orta güç seviyesi anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 10W maksimum güç dağıtımı ile, sürücü devreleri, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 150MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. TO-252 (DPak) paket türü sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun olup, endüstriyel ve tüketici elektroniği ürünlerinde yer alır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
10 W
Supplier Device Package
PW-MOLD
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V