Görsel mevcut değil
2SC6026MFVGR,L3F
2SC6026MFVGR,L3F Hakkında
2SC6026MFVGR,L3F, Toshiba tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 50V maksimum Vce breakdown voltajı ve 150mA kolektör akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 60MHz transition frequency ile sinyal anahtarlama ve zayıf sinyal amplifikasyon devrelerinde uygulanabilir. 200 minimum DC current gain (hFE) ve 250mV maksimum saturation voltajı sayesinde dijital lojik devreleri, ses amplifikasyonu, RF ön amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtar uygulamalarında tercih edilir. Yüksek sıcaklık işletim kapasitesi (150°C) ve kompakt SOT-723 yüzey montajı paketi, mobil cihazlar ve miniaturize edilmiş elektronik sistemlerde kullanım için uygun bir çözüm sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition
60MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SOT-723
Part Status
Active
Power - Max
150 mW
Supplier Device Package
VESM
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V