Görsel mevcut değil
2SC6026MFV-Y,L3F
2SC6026MFV-Y,L3F Hakkında
2SC6026MFV-Y,L3F, Toshiba tarafından üretilen NPN tip bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-723 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 150mA collector akımı ile çalışabilir. 60MHz transition frequency ile sinyallerin amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanıma uygundur. Maksimum 150mW güç tüketimi ile düşük güç gereksinim gösteren devrelerde tercih edilir. 120 minimum DC current gain (hFE) değeri ile orta seviye sinyal işleme ve ses frekansı uygulamalarında yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel ve tüketici elektroniklerinde sinyallendirme, amplifikasyon ve kontrol amaçlı kullanılan kompakt bir bileşendir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition
60MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SOT-723
Part Status
Active
Power - Max
150 mW
Supplier Device Package
VESM
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V