Görsel mevcut değil
2SC6026CT-GR,L3F
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 50V 0.1A CST3
2SC6026CT-GR,L3F Hakkında
2SC6026CT-GR,L3F, Toshiba tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistörtür (BJT). 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maximum collector akımı ile çalışan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. SC-101/SOT-883 yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 60MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. 250mV saturasyon voltajı ve 200 minimum DC current gain özellikleriyle sinyal işleme devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve düşük seviyeli kontrol uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralıklarında güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition
60MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-101, SOT-883
Part Status
Active
Power - Max
100 mW
Supplier Device Package
CST3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V