Görsel mevcut değil
2SC5876T106R
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 0.5A SOT-323
2SC5876T106R Hakkında
2SC5876T106R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-323 (SC-70) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve düşük frekans amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 60V maksimum Vce darbelenme gerilimi ve 500mA maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında yer alır. 300MHz transition frekansı sayesinde RF ve yüksek hızlı devre tasarımlarında da tercih edilebilir. 120 minimum DC akım kazancı (hFE) ile güvenilir çalışma garantisi sunar. -40°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında çalışan cihaz, 200mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç tasarımlarına uygundur. Sinyal işleme, enerji yönetim devreleri ve genel elektronik uygulamalarında kullanılabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-70, SOT-323
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
UMT3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V