Görsel mevcut değil
2SC5819(TE12L,ZF)
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- MOSFET N-CH
2SC5819(TE12L,ZF) Hakkında
2SC5819, Toshiba tarafından üretilen silikon NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Maksimum 1.5A kollektör akımı, 20V Vce(br) diyelectric dayanımı ve 400 minimum DC akım kazancı (hFE @ 150mA, 2V) ile belirtilmiştir. 120mV doyma voltajı ve 1W maksimum güç derecelendirmesi ile, bu transistör genel amaçlı sinyal işleme devrelerinde, kontrol uygulamalarında ve düşük seviye switching işlemlerinde tercih edilir. TO-243AA (PW-MINI) SMD paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve endüstriyel uygulamalar ile tüketici elektroniği ürünlerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1.5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
400 @ 150mA, 2V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
PW-MINI
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
120mV @ 10mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20 V