Görsel mevcut değil
2SC5729T106R
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 30V 0.5A SC70
2SC5729T106R Hakkında
2SC5729T106R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Surface Mount NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) olarak tasarlanmıştır. SC-70 (SOT-323) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 500mA collector akımı ve 30V breakdown voltajı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 300MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun, maksimum 200mW güç tüketimiyle ses amplifikatörleri, RF modülleri, anahtarlama devreleri ve sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. 180 minimum DC current gain (hFE) ve 300mV maksimum VCE saturation voltajı ile verimli çalışma sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-70, SOT-323
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
UMT3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V