Görsel mevcut değil
2SC4135S-E
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- IPAK
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 2A TP
2SC4135S-E Hakkında
2SC4135S-E, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, 100V maksimum collector-emitter gerilimi ve 2A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 120MHz transition frequency ve 140 minimum DC current gain (hFE) değerleriyle ses frekansı ve düşük frekansı RF uygulamalarında yer alabilir. 1W maksimum güç dissipasyonu ve 150°C çalışma sıcaklığı ile, anahtarlama devreleri, amplifikasyon uygulamaları ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. Through-hole montajı sayesinde klasik PCB tasarımlarında kullanıma uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V