Görsel mevcut değil
2SC4102U3HZGT106S
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- HIGH-VOLTAGE AMPLIFIER TRANSISTO
2SC4102U3HZGT106S Hakkında
2SC4102U3HZGT106S, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek gerilim NPN bipolar transistörüdür. SC-70 (SOT-323) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 120V maximum collector-emitter breakdown voltajı ve 200mW güç yeteneği ile tasarlanmıştır. 50mA maximum collector akımı ve 270 minimum DC akım kazancı (hFE) özellikleriyle, sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 140MHz transition frekansı ile orta frekanslı devrelerde performans gösterir. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol devreleri ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
270 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition
140MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-70, SOT-323
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
UMT3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V