Görsel mevcut değil
2SC4102U3HZGT106R
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- HIGH-VOLTAGE AMPLIFIER TRANSISTO
2SC4102U3HZGT106R Hakkında
2SC4102U3HZGT106R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek voltajlı NPN bipolar transistördür. 120V (Vce Breakdown) çalışma voltajı ve 50mA maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 140MHz transition frequency sayesinde yüksek hızlı anahtarlama ve RF uygulamalarında tercih edilir. 200mW maksimum güç tüketimi ile düşük enerji harcanması gereken devrelerde uygun bir seçenektir. Minimum 180 DC akım kazancı (2mA, 6V'de) ile güvenilir sinyal amplifikasyonu sağlar. Darlington yapısı olmayan tasarımı sayesinde düşük VCE doyum voltajı (500mV) sunar. SC-70 (SOT-323) SMD paket tipi, kompakt PCB tasarımları için avantajlıdır. Endüstriyel amplifikasyon, ses işleme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan standart bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition
140MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-70, SOT-323
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
UMT3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V