Görsel mevcut değil
2SC3646S-P-TD-E
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 1A
2SC3646S-P-TD-E Hakkında
2SC3646S-P-TD-E, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. TO-243AA paketinde surface mount olarak sunulan bu komponent, 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 500mW güç dağıtım kapasitesi, 120MHz geçiş frekansı ve 140 minimum DC akım kazancı (hFE @ 100mA, 5V) sayesinde genel amaçlı anahtarlama, amplifikasyon ve sinyal işleme devrelerinde tercih edilir. 400mV saturation voltajı ile düşük güç kaybında çalışır. Endüstriyel, tüketici elektronikleri ve telekomünikasyon uygulamalarında yaygın olarak kullanılan güvenilir bir transistördür.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
PCP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 40mA, 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V