Görsel mevcut değil
2SC3332S-AA-SA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
2SC3332S-AA-SA Hakkında
2SC3332S-AA-SA, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN epitaxial planar silicon transistördür. Maksimum 700mA kollektör akımı ve 160V VCE(BR)O kırılma gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılan genel amaçlı BJT transistördür. 120MHz transition frequency ile RF ve anahtarlama devrelerinde çalışmaya uygundur. TO-92 plastik DİP paketinde sunulan bu komponent, 700mW güç dağıtımı kapasitesine ve 140 minimum DC akım kazancına sahiptir. Saturasyon gerilimi 400mV (250mA, 25mA) olması dikkat çekici bir özelliktir. -55°C ile +150°C aralığında çalışabilir. Ses amplifikatörleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve genel sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
700 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status
Active
Power - Max
700 mW
Supplier Device Package
3-NP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 25mA, 250mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V