Görsel mevcut değil
2SC3324GRTE85LF
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI
2SC3324GRTE85LF Hakkında
2SC3324GRTE85LF, Toshiba tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 120V VCE Breakdown voltajına ve 100mA kolektör akımına sahiptir. 200 minimum DC current gain (hFE) ile 100MHz transition frekansında çalışır. 150mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Vce saturation 300mV @ 1mA/10mA koşullarında karakterize edilmiştir. Anahtarlama, sinyal amplifikasyonu, RF amplifikasyon ve genel amaçlı dijital-analog devre uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir. -55°C ile 125°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
125°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Last Time Buy
Power - Max
150 mW
Supplier Device Package
TO-236
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V