Görsel mevcut değil
2SC3143-5-TB-E
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR
2SC3143-5-TB-E Hakkında
2SC3143-5-TB-E, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 80mA collector akımı ve 150MHz transition frequency ile çalışır. 200mW güç kapasitesi ve 160V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılan genel amaçlı transistördür. 60 minimum DC current gain değeri ile sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama devrelerinde uygulanır. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (125°C'ye kadar) stabil performans sunar. Kompakt SMD paketlemesi sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
125°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
3-CP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 3mA, 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V