Görsel mevcut değil
2SC2812N6-CPA-TB-E
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN SILICON TRANSISTOR
2SC2812N6-CPA-TB-E Hakkında
2SC2812N6-CPA-TB-E, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN silisyum transistördür. Surface Mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 150 mA kollektör akımı ve 50 V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 100 MHz transition frequency özellikleri sayesinde orta frekanslı anahtarlama ve RF uygulamalarında kullanılabilir. 200 mW maksimum güç tüketimi ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. DC current gain (hFE) minimum 200'dür. Düşük ICBO değeri (100nA max) ile hızlı ve kararlı komütasyon özellikleri sunar. Ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı dijital uygulamalarda tercih edilir. Parça obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
3-CP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V