Görsel mevcut değil
2SC2383-Y,T6KEHF(M
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 1A 160V TO226-3
2SC2383-Y,T6KEHF(M Hakkında
2SC2383-Y,T6KEHF(M), Toshiba tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. Maksimum 1A kolektör akımı ve 160V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 900mW güç kapasitesi ile audio amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. TO-92 paketinde sunulan bileşen 100MHz transition frequency ve 60 minimum DC current gain (hFE) özelliklerine sahiptir. 150°C maksimum junction sıcaklığı ile endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarında güvenilir performans sunar. Through-hole montajı ile geleneksel PCB tasarımlarında kullanılabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status
Obsolete
Power - Max
900 mW
Supplier Device Package
TO-92MOD
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V