Görsel mevcut değil
2SC2235-O(FA1,F,M)
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
2SC2235-O(FA1,F,M) Hakkında
2SC2235-O(FA1,F,M), Toshiba tarafından üretilen bir NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Maksimum 800mA kolektör akımı ve 120V GeBr gerilimi özelliğine sahiptir. TO-226-3 (TO-92-3 Long Body) paketlemesi ile through hole montajı için uygundur. 900mW güç dağıtımı kapasitesi ve 120MHz geçiş frekansı ile orta seviye RF ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 80 minimum hFE (100mA, 5V'de) ile şiddete sahip akım kazancı sağlar. İleri seviye elektronik tasarımlardan ziyade genel amaçlı amplifikasyon ve dijital anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Not: Bu bileşen üretim dışıdır (obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status
Obsolete
Power - Max
900 mW
Supplier Device Package
TO-92MOD
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V