Görsel mevcut değil
2SC1959-Y-AP
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR TO-92 MOD
2SC1959-Y-AP Hakkında
2SC1959-Y-AP, Micro Commercial Components tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-92 through-hole paketinde sunulmaktadır. 500mA maksimum collector akımı, 30V collector-emitter gerilimi ve 300MHz transition frequency özellikleriyle orta güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 120 minimum DC current gain (hFE @ 100mA, 1V) ile ses amplifikatörleri, küçük sinyal güçlendiricileri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yer bulur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında, 500mW maksimum güç dissipasyonu ile tasarlanmıştır. ICBO cutoff akımı maksimum 100nA olup, Vce saturation 250mV (10mA base, 100mA collector akımında) düzeyindedir. Uygun maliyetli bir seçenek olarak eski tasarımların yerini alma (replacement) uygulamalarında tercih edilebilir. Parça durumu obsolete olmasına rağmen, teknik özellikleri benzer transistörlerle karşılaştırılabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
TO-92
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V