Görsel mevcut değil
2SC15670R
- Üretici
- Panasonic
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 0.5A TO-126
2SC15670R Hakkında
2SC15670R, Panasonic tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-126 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 100V collector-emitter gerilimi ve 500mA collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 120MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştiren bu bileşen, DC akım kazancı (hFE) minimum 130 değeri ile güvenilir çalışma sağlar. Maksimum 1.2W güç dağıtım kapasitesi ile darlington amplifikatörleri, anahtarlama devreler, radyo frekans uygulamaları ve genel amaçlı transistör kullanımında tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile eski nesil ve prototip tasarımlarda uygulanabilir. Bileşen silinmiş durumda olup (obsolete), yedek veya yeni tasarımlarda güncel alternatifler değerlendirilmelidir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
130 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.2 W
Supplier Device Package
TO-126B-A1
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V