Görsel mevcut değil
2SC1213C-E
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 0.5A, 50V, NPN
2SC1213C-E Hakkında
2SC1213C-E, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörüdür. 500mA kolektör akımı, 35V maksimum VCE(breakdown) ve 400mW güç dağıtım kapasitesiyle orta seviye anahtarlama ve amplifikasyon uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-92 paket tipi ile through-hole montajı destekler. 100 minimum hFE değeri ile 10mA kolektör akımında stabil kazanç sağlar. 600mV VCE doyum voltajı anahtarlama devrelerinde düşük kayıp sağlar. Ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, düşük frekanslı sinyal işlemesi ve genel amaçlı BJT uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 3V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status
Active
Power - Max
400 mW
Supplier Device Package
TO-92
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
35 V