Görsel mevcut değil
2SC1213AB-E
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 0.5A, 50V, NPN
2SC1213AB-E Hakkında
2SC1213AB-E, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 500mA kolektör akımı ve 50V kolektör-emitter gerilimi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 400mW güç dağıtım kapasitesi ile düşük ve orta güç devrelerinde yer bulur. DC akım kazancı (hFE) minimum 60 (10mA, 3V koşullarında) olup, 150°C'ye kadar çalışabilir. Saturasyon gerilimleri düşük (600mV max) olan bu transistör, özellikle açık-kapalı (switching) uygulamaları, sinyal amplifikasyonu ve güç kontrolü devrelerinde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 3V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status
Active
Power - Max
400 mW
Supplier Device Package
TO-92
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V