Görsel mevcut değil
2SB906-Y(TE16L1,NQ
2SB906-Y(TE16L1,NQ Hakkında
2SB906-Y, Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistörtür (BJT). TO-252 (DPak) yüzey montaj kasasında sunulan bu transistör, maksimum 60V collector-emitter gerilimi ve 3A collector akımı ile çalışabilir. 1W güç tüketim kapasitesi ile anahtarlama ve güçlendirme uygulamalarında kullanılır. 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 9MHz transition frequency özelliğine sahiptir. Düşük sinyal seviyesi anahtarlamadan orta güçlü uygulamalara kadar geniş bir kullanım alanına sahiptir. İlk kapatma gerilimi (Vce sat) 1.7V olarak belirtilmiştir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
9MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
PW-MOLD
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.7V @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V