Görsel mevcut değil
2SB647A-B-AP
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR TO-92 MOD
2SB647A-B-AP Hakkında
2SB647A-B-AP, Micro Commercial Components tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olarak tasarlanmıştır. TO-92-3 pakette sunulan bu komponent, maksimum 1A kollektor akımı, 100V VCEO (Collector-Emitter Breakdown Voltage) ve 900mW güç dissipasyon kapasitesine sahiptir. 140MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, genel amaçlı amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal işleme devrelerinde yer bulur. DC current gain (hFE) 150mA kollektor akımında ve 5V VCE koşulunda minimum 60'tır. Through-hole montaj tipidir ve eski tasarımların revizyon veya onarım uygulamalarında kullanılabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 150mA, 5V
Frequency - Transition
140MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Part Status
Obsolete
Power - Max
900 mW
Supplier Device Package
TO-92MOD
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V