Görsel mevcut değil
2SB1694T106
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 30V 1A SOT-323
2SB1694T106 Hakkında
2SB1694T106, ROHM Semiconductor tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistöründür (BJT). SC-70/SOT-323 paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır.
Temel Karakteristikler:
- Maksimum Collector akımı: 1A
- Maksimum güç: 200mW
- DC Akım Kazancı (hFE): 270 (100mA, 2V)
- Geçiş Frekansı: 320MHz
- Collector-Emitter Saturasyon Voltajı: 380mV (25mA, 500mA)
- Maksimum Collector-Emitter Voltajı: 30V
- Çalışma Sıcaklığı: 150°C
Yüzey montajlı tasarımıyla kompakt elektronik devrelere entegre edilebilir. Ses amplifikatörleri, düşük güçlü anahtar uygulamaları, sinyal işleme devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Temel Karakteristikler:
- Maksimum Collector akımı: 1A
- Maksimum güç: 200mW
- DC Akım Kazancı (hFE): 270 (100mA, 2V)
- Geçiş Frekansı: 320MHz
- Collector-Emitter Saturasyon Voltajı: 380mV (25mA, 500mA)
- Maksimum Collector-Emitter Voltajı: 30V
- Çalışma Sıcaklığı: 150°C
Yüzey montajlı tasarımıyla kompakt elektronik devrelere entegre edilebilir. Ses amplifikatörleri, düşük güçlü anahtar uygulamaları, sinyal işleme devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
320MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-70, SOT-323
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
UMT3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
380mV @ 25mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V