Görsel mevcut değil
2SB1689T106
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 12V 1.5A SOT-323
2SB1689T106 Hakkında
2SB1689T106, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-323 (SC-70) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 12V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 1.5A collector akımı ile tasarlanmıştır. 200mW güç kapasitesi ve 400MHz transition frequency ile orta-yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. DC current gain (hFE) 270 minimum değeri (200mA, 2V'ta) ile sağlam kazanç karakteristiği sağlar. Düşük 200mV saturasyon voltajı ile verimli anahtarlama performansı sunar. -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil çalışır. Ses amplifikatörleri, genel amaçlı anahtarlama devreleri ve düşük güçlü kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1.5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
270 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition
400MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-70, SOT-323
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
UMT3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 25mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12 V