Görsel mevcut değil
2SB1457,T6YMEF(M
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 2A 100V TO226-3
2SB1457,T6YMEF(M Hakkında
2SB1457, Toshiba tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-226-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 2A kolektör akımı ve 100V gerilim kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 50MHz transition frequency ile ses frekansı ve düşük RF uygulamalarına uygundur. 900mW güç kapasitesi ve 2000 minimum DC akım kazancı (1A, 2V'de) sayesinde anahtarlama ve amplifikasyon devreleri tasarımında tercih edilir. Yüksek kolektör-emitter doyum gerilimi (1.5V) ve düşük kesme akımı (10µA) karakteristikleri ile enerji verimli tasarımlar mümkün kılar. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarında kullanılabilir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
2000 @ 1A, 2V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status
Obsolete
Power - Max
900 mW
Supplier Device Package
TO-92MOD
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 1mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V