Görsel mevcut değil
2SB1260T100P
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 80V 1A SOT-89
2SB1260T100P Hakkında
2SB1260T100P, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-89 (TO-243AA) surface mount paketinde sunulan bu transistör, maksimum 80V collector-emitter gerilimi ve 1A collector akımı ile çalışmaktadır. 100MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 2W güç tüketimi kapasitesi ile audio amplifikatörleri, genel amaçlı switching devreleri, sinyal amplifikasyonu ve kontrol uygulamalarında tercih edilir. 400mV saturation voltajı ile enerji verimli tasarımlara uygundur. Düşük collector cutoff akımı (1µA) ve 82 minimum DC current gain değerleri ile güvenilir komütasyon sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
82 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
MPT3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V