Görsel mevcut değil
2SB12190RL
- Üretici
- Panasonic
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 25V 0.5A SMINI 3P
2SB12190RL Hakkında
2SB12190RL, Panasonic tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaktadır. 25V maksimum collector-emitter gerilimi ve 500mA maksimum collector akımı ile orta güç seviyesinde çalışmaya uygundur. 200MHz transition frequency özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirilebilir. SC-70 (SOT-323) SMini3-G1 yüzey montajlı kasa tipinde sunulmaktadır. 120 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 150mW maksimum güç derecelendirmesi ile düşük sinyal anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Düşük collector cutoff akımı (100nA) sayesinde sızıntı akımları minimize edilmiştir. Uygulamalar arasında sinyal işleme, ses frekansı amplifikatörleri, anahtarlama güç kaynakları ve genel amaçlı transistör uygulamaları sayılabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-70, SOT-323
Part Status
Obsolete
Power - Max
150 mW
Supplier Device Package
SMini3-G1
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 30mA, 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25 V